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3.硫酸铝阳极氧化溶液的温度必须严格控制，zui佳温度范围是15～25℃。硫酸铝阳极氧化工艺过程中需采用压缩空气搅拌，并应配备制冷装置。在无制冷装置的情况下，在---电解液中加入1.5%～2.0%的丙三酸或草酸、乳酸等羧酸，可以使铝阳极氧化溶液温度范围超过35℃而避免或减少铝阳极氧化膜的疏松或粉化。—些工艺试验和生产实践已证实，在硫酸铝阳极氧化电解液中加入适量羧酸或---可有效减少反应热效应的---影响，可以在不降低氧化膜厚度和硬度的条件下提高铝阳极氧化电解液的温度允许上限，在---的前提下，提高生产效率。另外，控制温度恒定的条件下，也要注意有效控制阳极电流密度，才能---地---氧化膜。

4. 硫酸铝阳极氧化电解液所使用的水质及电解液中的有害杂质必须严格控制。配制硫酸铝阳极氧化溶液不宜用自来水，尤其不能用浑浊的含ca2+，mg2+，sio32-及cl-含量高的自来水。一般情况下，水中cl-浓度达25mg/l时就会对铝阳极氧化处理产生有害影响。cl-(包括其它卤族元素)可破坏氧化膜生成，甚至---形不成氧化膜。硫酸铝阳极氧化应选用软化水、去离子水或蒸馏水，电解液中的ccl-≤15mg/l，总矿物质≤50 mg/l。

　　我们根据多年的生产经验和对铝合金型材生产中各工艺参数的考察，以及对操作者执行工艺情况的---调查，认为产生该类型暗灰色腐蚀点的主要原因有下述几个方面：

　　(1)有时因为某些原因在熔铸过程中镁、硅的添加比例不各适，使ω(mg)/ω(si)在1.0～1.3范围内，比zui佳比值1.73小很多(一般控制在1.3～1.5范围内)。这样，虽然镁、硅成分含量在规定(ω(mg)=0.45%～0.9%，ω(si)=0.2%～0.6%)范围内。但有部分富余硅存在，这部分富余硅除有少量硅以游离态存在外，在铝合金中同时会形成三元化合物。当ω(si)<ω(fe)时，形成较多的α(al12fe3si)相，它是一种脆性化合物、当ω(si)＞ω(fe)时，则形成较多的β(al9fe2si12)相，这是一种更脆的针状化合物，它的有害作用比α相，led灯框铝材公司，往往使合金容易沿它断裂。这些在合金中形成的不溶性的杂质相或游离态杂质相往往---在晶界上，同时削弱晶界的强度和韧性，成为耐蚀性zui差的薄弱环节，腐蚀首先从该处产生。

　　(2)在熔炼过程中，虽然镁、硅的添加比例在标准规定的范围内，但有时由于搅拌不均匀和不充分，造成熔体中的硅分布不均匀，局部存在着富集区和贫乏区。因为硅在铝中的溶解度很小，共晶温度577℃时为1.65%，而室温时仅为0.05%，铸棒后也就产生了成分不均匀的现象，它直接反映到铝型材产品上，铝基体中存在少量游离态硅时，不仅降低合金的抗蚀性能，而且粗化合金的晶粒。

　　(3)挤压时各工艺参数的控制，如棒坯预热温度过高，金属挤出流速、挤压时风冷强度、时效温度与保温时间等控制不当都易产生硅偏析和游离，使镁和硅没有完全成为mg2si相，而有部分游离硅存在。